光热探测器是探测元件吸收光辐射后引起温度的变化，例如光能被固体晶格振动吸收引起固体的温度升高，因此对光能的测量可以转变为对温度变化的测量。这种探测器的主要特点是:具有较宽的光波长响应范围，但响应时间一般较慢，测量灵敏度相对也低一些，经常用于光源的光功率或光能量的测量。
   光电探测器是将光辐射能转变为电流或电压信号进行测量，是最常使用的光信号探测器。它的主要特点是:探测灵敏度高、时间响应快，可以对光辐射功率的瞬时变化进行测量，但它具有明显的光波长选择特性。
    光电探测器又分内光电效应器件和外光电效应器件。内光电效应是通过光与探测器靶面固体材料的相互作用，引起材料内电子运动状态的变化，进而引起材料电学性质的变化。例如半导体材料吸收光辐射产生光生载流子，引起半导体的电导率发生变化，这种现象称为光电导效应，所对应的器件称为光导器件;义如半导体PN结在光辐照下，产生光生电动势，称为光生伏特效应少利用这种效应制成的器件称为光伏效应器件。